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德国博恩斯坦BERNSTEIN磁阻传感器

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德国博恩斯坦BERNSTEIN磁阻传感器
磁阻传感器与霍尔效应传感器相比,灵敏度高10倍。它们不但尺寸小,还可以检测特别低的场强。它们在高温下也能达到高测量精度,此外,还具有可靠性高、占用空间小的特点。由于它们的设计是与极性无关的,不需要在极点方向安装反磁铁。
博恩斯坦磁阻传感器完成相应封装之后,可以在恶劣环境下有效工作,如施工升降机或农业技术领域。越复杂和紧凑的测量和控制配置,就要求零部件的体积越小。根据这一发展趋势,博恩斯坦将其位置、角度和速度各系列工业传感器的开发分成了两个方向:与先前zui小型号(RD=6m m)相比,微型磁阻传感器系列的直径进一步缩小了30%,但即使RD=4mm或5×5mm的zui小号微型传感器,也具有大号传感器同样的参数性质。在开发的第二阶段,电子式磁开关的基本和标准系列已经扩展到具备锁定功能(双稳态开关特性),它只将磁场用于相应的开关操作。因此,在当前模块化系列中,该功能已经被加载到广泛的外壳型号中。

 

铁芯和衔铁由导磁材料如硅钢片或坡莫合金制成,在铁芯和衔铁之间有气隙,传感器的运动部分与衔铁相连。当被测量变化时,使衔铁产生位移,引起磁路中磁阻变化,从而导致电感线圈的电感量变化,因此只要能测出这种电感量的变化,就能确定衔铁位移量的大小和方向。变磁阻式传感器可以用于测量位移和尺寸,也可以测量能够转换为位移量的其他参数力、张力、压力、压差、应变、转短、速度和加速度等。利用被测量的变化引起线圈自感或互感系数的变化,从而导致线圈电感量改变这一物理现象来实现测量。结构简单:工作中没有活动电接触点,因而比电位器工作可靠,寿命长。灵敏度高分辨率大:能测出0.01um甚至更小的机械位移变化,能感受小到0.1的微小角度变化,传感器的输出信号强,电压灵敏度一般每一毫米可达数百毫伏,因此有利于信号的传输与放大。重复性好线信度优良:在一定位移范围内,输出特性的线性度好,并且比较稳定,高精度的变磁组式传感器,非线性误差仅0.1%。缺点:存在交流零位信号,不易于高频动态测量。德国博恩斯坦BERNSTEIN磁阻传感器

 


将位移、转速、加速度等非电物理量转换为磁阻变化的传感器。它包括电感式传感器、变压器式传感器和电涡流式传感器。变磁阻式转速传感器 它属于变磁阻式传感器。变磁阻式传感器的三种基本类型,电感式传感器、变压器式传感器和电涡流式传感器都可制成转速传感器。电感式转速传感器应用较广,它利用磁通变化而产生感应电势,其电势大小取决于磁通变化的速率。这类传感器按结构不同又分为开磁路式和闭磁路式两种。开磁路式转速传感器结构比较简单,输出信号较小,不宜在振动剧烈的场合使用。闭磁路式转速传感器由装在转轴上的外齿轮、内齿轮、线圈和*磁铁构成。内、外齿轮有相同的齿数。当转轴连接到被测轴上一起转动时,由于内、外齿轮的相对运动,产生磁阻变化,在线圈中产生交流感应电势。测出电势的大小便可测出相应转速值。

 

磁阻效应传感器是根据磁性材料的磁阻效应制成的。磁性材料(如坡莫合金)具有各向异性,对它进行磁化时,其磁化方向将取决于材料的易磁化轴、材料的形状和磁化磁场的方向。当给带状坡莫合金材料通电流I时,材料的电阻取决于电流的方向与磁化方向的夹角。如果给材料施加一个磁场B(被测磁场),就会使原来的磁化方向转动。如果磁化方向转向垂直于电流的方向,则材料的电阻将减小;如果磁化方向转向平行于电流的方向,则材料的电阻将增大。磁阻效应传感器一般有四个这样的电阻组成,并将它们接成电桥。在被测磁场B作用下,电桥中位于相对位置的两个电阻阻值增大,另外两个电阻的阻值减小。在其线性范围内,电桥的输出电压与被测磁场成正比。磁阻传感器已经能制作在硅片上,并形成产品。其灵敏度和线性度已经能满足磁罗盘的要求,各方面的性能明显优于霍尔器件。迟滞误差和零点温度漂移还可采用对传感器进行交替正向磁化和反向磁化的方法加以消除。

 

SI1011    SID10ADBFNKG/US-100-INF
SI1100    SID10ADTFPKG/US-100-IPF
SI1101    SID10ADTFNKG/US-100-INF
SI1104    SID10ADT100G/US-100-IAZ
SI1106    SID10ADTFKOW/LS-100-IRF
SI2000    SIS30ABBFPKG/US-100-IPF
SI2100    SIS30ABBFPKG/US-100-IPF
SI2200    SIS30ABBFPKG/US-100-IPF
SR2301   VS2000/ 24VDC/EXI/1G
SR0127   VS0200/ 24VDC
SR0150   VS3000/24VDC
SR0151   VS3000/24VDC
SR3001   VS0300/24VDC

 

 

 

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